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[发明专利]溅射镀膜设备-CN202210136775.6在审
发明人：高佳 -专利权人：东莞市峰谷纳米科技有限公司
申请日： 2022-02-15 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了溅射镀膜设备，包括送料机构与溅射镀膜机构，溅射镀膜机构包括周转室、第一溅射腔室、第二溅射腔室、第三溅射腔室以及第四溅射腔室，周转室设于溅射镀膜机构的中间，而第一溅射腔室、第二溅射腔室、第三溅射腔室以及第四溅射腔室依次围绕周转室设置，第一溅射腔室的外部设有低压溅射装置，第二溅射腔室的外部设有第一磁控溅射装置、第二磁控溅射装置以及第三磁控溅射装置，第三溅射腔室的外部设有第四磁控溅射装置、电感耦合等离子光谱发生仪以及第五磁控溅射装置，第四溅射腔室的外部设有第一RF离子源清洗装置、第六磁控溅射装置以及第七磁控溅射装置。
溅射镀膜设备

[实用新型]塑胶溅射镀膜设备-CN202220299999.4有效
发明人：高佳 -专利权人：东莞市峰谷纳米科技有限公司
申请日： 2022-02-15 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本实用新型公开了塑胶溅射镀膜设备，包括结构主体，所述结构主体包括送料装置与溅射镀膜装置，所述溅射镀膜装置包括周转室、第一溅射室、第二溅射室、第三溅射室以及第四溅射室，所述周转室设于溅射镀膜装置的中间，所述第一溅射室、第二溅射室、第三溅射室以及第四溅射室依次围绕周转室而设置，所述第一溅射室的外部设有低压溅射机构，所述第二溅射室的外部设有第一磁控溅射机构、第二磁控溅射机构以及第三磁控溅射机构，所述第三溅射室的外部设有第四磁控溅射机构、电感耦合等离子光谱发生仪以及第五磁控溅射机构，所述第四溅射室的外部设有第一RF离子源清洗机构、第六磁控溅射机构以及第七磁控溅射机构。
塑胶溅射镀膜设备

[发明专利]一种离子束溅射镀膜设备-CN202011315012.5在审
发明人：范江华;胡凡;陈特超;毛朝斌;罗超;程文进 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十八研究所
申请日： 2020-11-20 - 公布日： 2021-03-12 - 主分类号： C23C14/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种离子束溅射镀膜设备，包括预真空腔室、溅射腔室、基片台、溅射离子源、清洗离子源和溅射靶台，预真空腔室与溅射腔室对接且二者之间设置一控制通断的隔离阀，基片台位于溅射腔室内并可从溅射腔室移动至预真空腔室内，清洗离子源设于溅射腔室内并与基片台相对布置，溅射靶台可旋转的设于溅射腔室内，溅射离子源可旋转的设于溅射腔室内，溅射离子源朝向溅射靶台，溅射靶台朝向基片台。本发明具有优化溅射工艺膜层均匀性以及沉膜速率、防止溅射离子束超出溅射靶材范围导致所沉积膜层引入杂质、利于缩小溅射靶材尺寸，提高溅射靶材有效利用率、降低溅射靶材使用成本的优点。
一种离子束溅射镀膜设备

[发明专利]一种磁控溅射设备-CN202310740994.X在审
发明人：李细柳;朱正尧 -专利权人：东莞市科盛机电设备有限公司;深圳市科和盛业技术有限公司
申请日： 2023-06-20 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种磁控溅射设备；包括溅射组件和偏压组件；溅射组件设置有两个，两个溅射组件相对设置，两个溅射组件的一侧设置偏压组件；溅射组件连接负极电源，偏压组件连接正极电源，偏压组件用于将溅射组件产生的溅射离子排斥到基材上在溅射组件在进行溅射时，会同时具有溅射离子、溅射分子团和电子。相对设置的溅射组件将其产生的溅射离子、溅射分子团和电子向中间区域溅射，偏压组件将溅射离子排斥到基材上，将电子吸引到偏压组件上，溅射分子团留在两个溅射组件之间的区域内。由此即可只将溅射离子轰击到基材上，而避免溅射分子团和电子轰击到基材上，确保镀膜的均匀性，提高镀膜质量，减少基材温度升高的幅度。
一种磁控溅射设备

[发明专利]一种可调溅射范围的磁控溅射玻璃镀膜装置-CN201510385688.4有效
发明人：周永文;范亚军;梁健威 -专利权人：中山市格兰特实业有限公司
申请日： 2015-06-30 - 公布日： 2018-01-12 - 主分类号： C03C17/09 文献下载
摘要：本发明公开了一种可调溅射范围的磁控溅射玻璃镀膜装置，包括底架，底架上架设有用于移转玻璃的输送装置，其技术方案的要点是底架上还设有用于在真空状态下对玻璃表面进行连续镀膜的磁控溅射镀膜机构，磁控溅射镀膜机构包括架设在输送装置上的溅射底架，溅射底架上设有溅射靶材，溅射底架上位于溅射靶材和输送装置之间设有溅射范围控制装置，溅射范围控制装置包括能通过调节溅射缝隙宽度控制溅射靶材溅射到玻璃上的镀膜厚度的第一活动挡板。本发明提供一种可调溅射范围的磁控溅射玻璃镀膜装置，利用溅射范围控制装置，来调整溅射靶材下部的溅射缝隙宽度，使得单一生产线能满足多种规格镀膜玻璃生产，提高了效率。
一种可调溅射范围磁控溅射玻璃镀膜装置

[实用新型]磁控溅射靶材-CN201220226070.5有效
发明人：姚力军;相原俊夫;大岩一彦;潘杰;王学泽;钟伟华 -专利权人：宁波江丰电子材料有限公司
申请日： 2012-05-18 - 公布日： 2012-12-05 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：一种磁控溅射靶材，所述磁控溅射靶材具有溅射面，与现有平面结构型溅射面不同的是，所述溅射面具有磁场强度设计轮廓，即磁控溅射靶材在不同位置的厚度是按照磁场的强弱来设计的，磁控溅射靶材在磁场强的位置的厚度较大、在磁场弱的位置的厚度较小，使得溅射后期磁控溅射靶材的溅射面更加平整，从而使得溅射参数保持稳定，增加了磁控溅射靶材的寿命；进一步地，磁控溅射靶材的溅射面向磁控溅射靶材的中心凹陷，以使溅射时靶材原子能够充分向中心聚集，减少了靶材原子向被镀膜工件外的区域溅射，提高了磁控溅射靶材的使用效率，从而进一步增加了磁控溅射靶材的寿命。
磁控溅射

[发明专利]用于提高非晶材料无序性的间歇磁控溅射方法-CN201910969641.0有效
发明人：缪向水;何超;童浩 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2019-10-12 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于提高非晶材料无序性的间歇磁控溅射方法，包括如下步骤：将待溅射的基片清洗后，放置在溅射腔体的托盘上；将待溅射靶材打磨清洗后，放置在所述溅射腔体的直流溅射靶位上；将所述溅射腔体抽真空至设定真空度；设置溅射过程中的条件参数；对所述待溅射靶材进行间歇磁控溅射，溅射过程中溅射第一时间，保持溅射环境不变的情况下，停止溅射所述第一时间，再溅射所述第一时间，停止溅射第二时间，然后再溅射所述第一时间，停止溅射第三时间，依次进行溅射，每次停顿的时间依次延长，直到溅射出所需要的薄膜厚度。本发明的间歇磁控溅射方法，在保持薄膜无序度的提升的同时，更加有利于薄膜的非晶性能的形成。
用于提高材料无序间歇磁控溅射方法

[发明专利]溅射靶和溅射方法-CN201811008466.0在审
发明人：罗纳德·M·帕克;罗伯特·T·罗兹比金 -专利权人：唯景公司
申请日： 2012-06-14 - 公布日： 2018-12-28 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本申请涉及溅射靶和溅射方法。特定而言，描述溅射靶和对于高度均匀的溅射沉积使用常规溅射靶以及本文中描述的溅射靶的溅射方法。
溅射靶溅射溅射沉积申请

[发明专利]溅射靶和溅射方法-CN201280037352.3在审
发明人：罗纳德·M·帕克;罗伯特·T·罗兹比金 -专利权人：唯景公司
申请日： 2012-06-14 - 公布日： 2014-04-09 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本公开涉及溅射靶和溅射方法。特定而言，描述溅射靶和对于高度均匀的溅射沉积使用常规溅射靶以及本文中描述的溅射靶的溅射方法。
溅射方法

[发明专利]通过溅射舱内轴瓦溅前负偏压清洗的PVD轴瓦磁控溅射工艺-CN200710093216.7有效
发明人：冀庆康;吴文俊;张永红 -专利权人：重庆跃进机械厂
申请日： 2007-12-27 - 公布日： 2008-07-09 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种通过溅射舱内轴瓦溅前负偏压清洗的PVD轴瓦磁控溅射工艺，包括溅前处理、轴瓦装入夹具、抽真空、溅射镍栅层(Ni)、溅射铝合金减摩层(AlSnCu)、检查尺寸及外观，其关键在于：在所述溅射舱抽真空后、轴瓦溅前负偏压清洗，该轴瓦溅前负偏压清洗与PVD轴瓦基体溅射镍栅层(Ni)之间增设磁控溅射第一扩散层；所述溅射镍栅层(Ni)之后，溅射铝合金减摩层(AlSnCu)之前先磁控溅射增设第二扩散层；本发明对PVD轴瓦内表面的进行负偏压清洗，提高PVD轴瓦溅射膜层与基体之间的附着强度。在溅射层与基体以及溅射层与溅射层之间通过磁控溅射扩散层的方法，通过扩散层的金属健结构和机械互锁结构，提高溅射层与基体以及溅射层与溅射层之间附着强度。
通过溅射轴瓦溅前负偏压清洗 pvd 磁控溅射工艺

[发明专利]一种高性能铁磁性溅射靶材-CN201510598536.2在审
发明人：罗俊锋;徐国进;万小勇;李勇军;丁照崇;何金江;熊晓东;王兴权;曹惠 -专利权人：有研亿金新材料有限公司
申请日： 2015-09-18 - 公布日： 2015-12-16 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种高性能铁磁性溅射靶材，该靶材的溅射面包括主溅射区、次溅射区和非溅射区，所述靶材的次溅射区相对于主溅射区减薄，所述次溅射区的边缘与所述主溅射区之间设有斜坡状过渡区，该过渡区在其与主溅射区及次溅射区的拐点位置均引入倒角本发明通过减小靶材次溅射区的厚度，提高铁磁性溅射靶材表面磁场分布的均匀性，并减弱主溅射区的离子束聚集现象，提高了铁磁性靶材的溅射性能。通过本发明中的铁磁性溅射靶材制备的薄膜均匀性好，使用寿命长。
一种性能铁磁性溅射

[实用新型]一种长寿命溅射靶材-CN201020552221.7有效
发明人：郑文翔 -专利权人：宁波江丰电子材料有限公司
申请日： 2010-09-28 - 公布日： 2011-04-13 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：一种长寿命溅射靶材，包括溅射面，所述溅射面的表面包括两个溅射区域，沿径向方向由外到里依次为第一溅射区域和第二溅射区域，所述第二溅射区域高于第一溅射区域，所述两个溅射区域的中心与所述溅射靶材的中心同心。解决了当溅射靶材在溅射过程中，使用寿命比较短，靶材的使用效率比较低，造成原材料浪费和增加生产成本的问题。
一种寿命溅射

[发明专利]具有扩散层PVD轴瓦的生产方法-CN200710093218.6有效
发明人：冀庆康;唐太平;吴文俊 -专利权人：重庆跃进机械厂
申请日： 2007-12-27 - 公布日： 2008-07-09 - 主分类号： F16C33/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有扩散层PVD轴瓦的生产方法，包括溅前处理、将轴瓦装入夹具、抽真空、溅射镍栅层(Ni)、溅射铝合金减摩层(AlSnCu)、检查尺寸及外观，其关键在于：所述溅射舱抽真空后，在PVD轴瓦基体溅射镍栅层(Ni)之前先磁控溅射增设第一扩散层；所述溅射镍栅层(Ni)之后，溅射铝合金减摩层(AlSnCu)之前先磁控溅射增设第二扩散层；本发明提供一种溅射层与基体以及溅射层与溅射层之间通过磁控溅射扩散层的方法，通过扩散层的金属健结构和机械互锁结构，提高溅射层与基体以及溅射层与溅射层之间附着强度。
具有扩散 pvd 轴瓦生产方法

[发明专利]溅射系统以及对非平面表面的工件溅射的方法-CN200910210610.3无效
发明人：胡维彦;郑兆希 -专利权人：向熙科技股份有限公司
申请日： 2009-11-03 - 公布日： 2011-05-11 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供一种溅射系统以及对非平面表面的工件溅射的方法。所述溅射系统，可用以对表面为非平面的工件进行溅射，该溅射系统包括：一溅射腔体，溅射腔体内至少包括：一第一溅射源，以一第一预定距离与用以承载工件的载具或输送机构相对设置，并大约与载具平行；及一第二溅射源，第二溅射源所在平面位置的法线方向与水平方向形成一夹角，倾斜配设于第一溅射源的侧边，第二溅射源并环绕于第一溅射源周围，用以提供对工件的非平面的结构进行溅射。
溅射系统以及平面表面工件方法

[实用新型]一种可调节挡板缝隙宽度的磁控溅射玻璃镀膜装置-CN201520474508.5有效
发明人：周永文;范亚军;梁健威 -专利权人：中山市格兰特实业有限公司
申请日： 2015-06-30 - 公布日： 2015-12-02 - 主分类号： C03C17/09 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种可调节挡板缝隙宽度的磁控溅射玻璃镀膜装置，包括底架，底架上架设有用于移转玻璃的输送装置，其技术方案的要点是：底架上还设有用于在真空状态下对玻璃表面进行连续镀膜的磁控溅射镀膜机构，磁控溅射镀膜机构包括架设在输送装置上的溅射底架，溅射底架上设有溅射靶材，溅射底架上位于溅射靶材和输送装置之间设有溅射范围控制装置，溅射范围控制装置包括能通过调节溅射缝隙宽度控制溅射靶材溅射到玻璃上的镀膜厚度的第一活动挡板。本实用新型提供一种可调节挡板缝隙宽度的磁控溅射玻璃镀膜装置，利用溅射范围控制装置，来调整溅射靶材下部的溅射缝隙宽度，使得单一生产线能满足多种规格镀膜玻璃生产。
一种调节挡板缝隙宽度磁控溅射玻璃镀膜装置

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